Tipos de memorias

1) Memoria RAM

Son los circuitos que permiten almacenar y recuperar la información. Por lo general se refiere sólo al semiconductor rápido de almacenaje (RAM) conectado directamente al procesador.

Memoria de acceso aleatorio o RAM

Es la memoria basada en semiconductores que puede ser leída o escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware. El acceso a posiciones de almacenamiento se puede realizar en cualquier orden. Actualmente la memoria RAM para computadoras personales se suele fabricar en módulos inestables llamados SIMM.

Dispositivos de almacenamiento internos

En dispositivos de almacenamiento internos las instrucciones ó datos pueden almacenarse por un tiempo en los chips de silicio de la RAM (Random Access Memory – memoria de acceso aleatorio) montados directamente en la placa de circuito principal de la computadora, o bien en chips montados en tarjetas periféricas conectadas a la placa de circuitos principal del ordenador.

Estos chips de RAM constan de conmutadores sensibles a los cambios de la corriente eléctrica. Los chips de RAM son como pedazos de papel en los que se puede escribir, borrar y volver a utilizar.

a)  SRAM

Static Random Access Memory – Memoria estática de acceso aleatorio Es un tipo de memoria más rápida y confiable que la DRAM. El término estática se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM.

Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos. Un bit de RAM estática se construye con un circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basándose en cuál de los dos transistores es activado. Estas memorias no precisan no precisan de los complejos circuitos de refrescamiento como sucede con las RAMs dinámicas, pero usan mucha más energía y espacio.

b)  Sync SRAM

Synchronous Static Random Access Memory –Es también un tipo de memoria caché. La RAM sincronizada a ráfagas ofrece datos de modo sincronizado con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a ráfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema está en velocidades de reloj superiores a los 66 mhz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente más lento que la memoria PB SRAM la cual tiene un tiempo de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos módulos están en desuso porque su precio es realmente elevado y sus prestaciones frente a la PB SRAM no son buenas por lo que se fabrican en pocas cantidades.

PB SRAM

Pipeline Burst Static Random Access Memory – Es un tipo de memoria estática pero que funciona a ráfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a memoria.

Es usada como caché al igual que la SRAM, y la más rápida de la actualidad con soporte para buses de 75 mhz ó superiores. Su velocidad de acceso suele ser de 4 a 8 nanosegundos.

Tipos de ram dinámica

a)      a) DRAM

Dynamic Random Access Memory – Memoria dinámica de acceso aleatorio. Usada en PC como el 386 su velocidad de refrescamiento típica es de 80 ó 70 nanosegundos. Físicamente aparece en forma de DIMMs o de SIMMs. Opera de la siguiente manera, las posiciones de memoria están organizadas en filas y columnas. Cuando accedemos a la memoria empezamos especificando la fila, después la columna y por último decimos

si deseamos escribir o leer en esa posición. En ese momento la memoria coloca los datos de esa posición en la salida si el acceso es de lectura o toma los datos y los almacena en la posición seleccionada si el acceso es de escritura.

b) FPM

Fast Page Memory - Memoria en modo paginado. También es llamada FPM RAM, FPM DRAM ó DRAM puesto que evoluciona directamente de ella es algo más rápida ya que su velocidad es de 70 ó 60 nanosegundos.

Físicamente aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos. Con el modo pagina, la fila se selecciona una sola vez para todas las columnas dentro de la fila, dando así un rápido acceso. Usada en sistemas con velocidades de bus de 66 mhz, generalmente equipos con procesadores Pentium de 100 a 200 mhz y en algunos 486.

c) EDO RAM

Extended Data Output Random Access Memory – Memoria de acceso aleatorio extendida de salida de datos.Evoluciona de la Fast Page Memory mejorando el rendimiento en un 10% aproximadamente. Con un refrescamiento de 70, 60 ó 50 nanosegundos. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque también se puede encontrar en forma de DIMMs de 168 contactos. El secreto de la memoria EDO radica en una serie de latchs que se colocan a la salida de la memoria para almacenar los datos en ellos hasta que el bus de datos queda libre y pueden trasladarse a la CPU, o sea mientras la FPM puede acceder a un único byte la EDO permite mover un bloque completo de memoria. Muy común en los Pentium, Pentium Pro, AMD K6 y los primeros Pentium II.

d) SDRAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory – Memoria de acceso aleatoria sincronizado. Es casi un 20 % más rápida que le EDO RAM. La SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria interna de tal forma que mientras se está accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el acceso, es capaz de sincronizar todas las señales de entrada y salida con la velocidad del reloj de sistema. Es capaz de soportar velocidades de bus de 100 mhz por lo que su refrescamiento debe ser mucho más rápido alcanzando las mismas velocidades de 10 nanosegundos. Se encuentra físicamente en módulos DIMM de 168 contactos. Este tipo de memoria es usada generalmente en los Pentium II de menos de 350 mhz y en los Celeron.

e) PC100 o SDRAM de 100 mhz

Teóricamente es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas referentes a la calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos establecidos por Intel para el correcto funcionamiento de la memoria, o sea para que realmente funcionen a esos 100 mhz. Es usada en los AMD K6-2,Pentium II a 350 mhz y micros aún más modernos.

 f) BEDO RAM

Burst Extended Data Ouput Memory Random Access – Es una evolución de la EDO RAM la cual compite con la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. La limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 mhz.

 

Ram pseudo estatica

RAM pseudo estática (PSRAM – Pseudo Static RAM) es una DRAM con un controlador refrescador de memoria embebido.

2) Memoria ROM

Su nombre viene del inglés Read Only Memory que significa Memoria de Solo Lectura ya que la información que contiene puede ser leída pero no modificada.  En ella se encuentra toda la información que el sistema necesita para poder funcionar correctamente ya que los fabricantes guardan allí las instrucciones de arranque y el funcionamiento coordinado de la computadora.  no son volátiles, pero se pueden deteriorar a causa de campos magnéticos demasiados potentes.

Al encender nuestra computadora automáticamente comienza a funcionar la memoria ROM.  por supuesto, aunque se apague, esta memoria no se borra.

El BIOS de una PC (Basic Input Operative System) es una memoria ROM, pero con la facultad de configurarse según las características particulares de cada máquina.  esta configuración se guarda en la zona de memoria RAM que posee este BIOS y se mantiene sin borrar cuando se apaga la PC gracias a una pila que hay en la placa principal.

El término ROM se suele referir a cualquier dispositivo de sólo lectura, incluyendo PROM y EPROM.

MEMORIA PROM Y EPROM

R/W (Read/Write): Selecciona el modo de operación (lectura o escritura) sobre la memoria. habitualmente con valor bajo es activo el modo de escritura.

• OE (Output Enable). Controla el estado de alta impedancia de los terminales de salida del dispositivo.

Memorias PROM

    Aunque las memorias de tipo OTP son memorias de tipo PROM, sus tiempos de acceso suelen ser bastante altos. En competencia con los tiempos de acceso de las memorias bipolares (50 nseg.), la tecnología CMOS ha desarrollado memorias con tiempos de acceso típicos de 10 nseg, a costa de reducir de forma significativa el tamaño máximo de los circuitos.

En las memorias EPROM o OTP se puede encontrar sin problemas memorias de 1 Mbyte, mientras que los valores típicos para las memorias PROM en tecnología CMOS es de hasta 128 Kbytes.

 

Memorias de sólo lectura MOS EPROM

Aunque pueda parecer increíble, los fabricantes de este tipo de memorias casi se han puesto de acuerdo para la denominación de las mismas. Así la referencia indica directamente su capacidad; por ejemplo el C.I. 2764 indica una memoria de 64Kbytes.       

       Esto siempre es de agradecer ya que no multiplica innecesariamente las referencias para dispositivos que hacen lo mismo.

EEPROM

Las PROMs borrables eléctricamente se pueden borrar y programar mediante impulsos eléctricos. Ya que se puede grabar y borrar eléctricamente, las EEPROM se pueden reprogramar sin necesidad de utilizr un aparato programador externo al circuito deonde esta trabajando la memoria. La  desventaja de esta memoria frente a los otros tipos de ROM es que su densidad de información es baja. 

El bus serie I12C. Este bus solo utiliza dos hlos trenzados y una masa común para la interconexión de periférico. La velocidad máxima a la que se puede transmitir con este bus de 100kHZ se puede controlar hasta 128 dispositivos.

Bibliografía

Ing. Huarache Francia Oswaldo Ali, (S.F.), Memoria RAM

Deascargado de: http://cpys.iespana.es/cpys/hardware/8.pdf

David A. Pérez A. (S.F.), Sistemas Embebidos y Sistemas Operativos Embebidos

Descargado de: www.ciens.ucv.ve/escueladecomputacion/documentos/archivo/88